App03-SiC-FRA

Contrôle des élements au Carbure de Silicium (SiC) avec connexion monophasé
Le carbure de silicium est un matériau sémi-conducteur et il a un résistivité très élevé par rapport aux matériaux métalliques. La valeur de la résistance à température ambiante de ces éléments est plutôt haute et descend avec l’augmentation de la températue à une valeur minimale de environ 600-900° C. Avec températures qui sont au dessus des 900°C, de la résistivité augmente avec l’augmentation de la température. Est donc necéssaire une régulation de puissance constante avec un feedback de type V à VxI transfer. Pour les charges triphasées avec carbure de silicium est indiquée l’utilisation d’un feedback en VxI aux fins d’obtenir une régulation de puissance constante. Cela est necéssaire pour compenser les variations de la valeur de résistence avec la température et l’âge des éléments. La valeur à la fin de leur utilisation c’est 4 fois la valeur intiale.