Éléments SiC – Sélectionnez votre charge de connexion:

Ces résistances changent de valeur avec la température et avec l'âge et la valeur finale de l'utilisation c'est 4 fois supérieure la valeur initiale.
SiC Elements 1PH Connection

SiC Elements - 1PH Connection

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SiC Elements | Delta | Star No Neutral Connection

SiC Elements - Delta Star No Neutral Connection

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SiC Elements on Secondary of 3PH Transformer

SiC Elements on Secondary of 3PH Transformer

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SiC Elements on Secondary of 1PH Transformer

SiC Elements on Secondary of 1PH Transformer

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SiC Elements | Delta | Star No Neutral Connection

SiC Elements | Delta | Star No Neutral Connection

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Le carbure de silicium est un matériau semi-conducteur, et il a une résistivité beaucoup plus élevé que celle des matériaux métalliques. La valeur de la résistance de ces éléments à température ambiante est très élevée, et il descend avec l’augmentation de la température à une valeur minimale de 600-900°C. Avec des températures supérieures aux 900°C la résistivité augmente avec l’augmentation de la température, comme expliqué dans l’image.

Tous les éléments en carbure de silicium augmentent progressivement de résistance pendant le cours de leur vie. La vitesse à laquelle cela se produit est affectée par les facteurs suivants :

a) Élément de charge spécifique
b) Température opérative
c) Atmosphère du processus
d) Modalité Opérative (continue ou intermittente)
e) Typologie d’alimentation utilisée
f) Type d’élément

Pour optimiser la vie de l’élément il faut en sélectionner un avec la plus petite charge spécifique par rapport au four utilisé.  Afin de mieux compenser la progressive augmentation de la résistance de l’élément (vieillissement), il est souvent fourni un alimentateur de tension variable pour permettre la préservation de la puissance de projet pendant toute la durée de l’élément

Écran tactile SiC

CD Automation a réalisé une série d’instruments pour faciliter le développement des applications qui nécessitent le contrôle des éléments réchauffants au Carbure de Silicium (SiC). La philosophie prévoit l’utilisation d’une unité à thyristor avec communication en série et l’implémentation d’une stratégie de contrôle par un panneau intelligent frontale. Ce panneau possède un écran tactile, en plus de l’unité universelle de CD Automation, qui permet de travailler avec tous le démarrages et les modalités de contrôle en supprimant les risques à cause de la sélection du type de contrôle.

Cette solution offre beaucoup d’avantages 

À travers d’une interface opérateur connectée à nos unités SCR dotées de communication il est possible d’obtenir les suivants bénéfices:

  • Configuration automatique et mise au point de l’unité à Thyristor
  • Régulation automatique du Power Control avec modalité VxI
  • Notification sur le tableau de commande qui signale quand il est nécessaire de changer les éléments
  • Transition automatique de « tension » à « modalité VxI » quand la température de l’élément est celle requise.
  • Mis au point d’une procédure automatique d’activation de l’alarme Heater Break afin de diagnostiquer la rupture du charge partielle ou totale
  • Diagnostic de défaut des fusibles et des thyristors en court-circuit
  • Tendances récentes et historiques  de la variable de processus
  • Densité de puissance W/cm2
  • Charge de tension
  • Puissance de tension
  • Courant de charge
  • Puissance de charge
  • Valeur de la courbe de résistance avec le nouveau élément
  • Temps qui s’écoule entre le debout et l’atteinte de la valeur de résistance

Deux modalités différentes pour piloter l’élément SiC:

  • Train d’ondes avec ajustement automatique des Limites de Puissance
  • Angle de Phase avec le transfert du mode de contrôle de tension à puissance.
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