Elementi SiC – Seleziona la connessione

Queste resistenze cambiano di valore con la temperatura e con l’età e il valore alla fine del loro utilizzo è 4 volte quello iniziale.
SiC Elements 1PH Connection

Controllo Elementi SiC 1PH

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SiC Elements | Delta | Star No Neutral Connection

Elementi SiC | Triangolo | Stella Senza Neutro

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SiC Elements on Secondary of 3PH Transformer

Conn. trifase sul secondario di un Trasformatore

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SiC Elements on Secondary of 1PH Transformer

Elementi SiC su Secondario Trasformatore 1PH

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SiC Elements | Delta | Star No Neutral Connection

Elementi SiC | Triangolo | Stella Senza Neutro

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Il carburo di silicio è un materiale semiconduttore, ed ha una resistività molto più elevata rispetto ai materiali metallici. Il valore della Resistenza di questi elementi temperatura ambiente è piuttosto alto, e scende con l’aumentare della temperatura ad un valore minimo di circa 600-900 ° C. A temperature elementi sopra 900 ° C. l’aumento di resistività aumenta con l’aumento della temperatura, come mostrato in figura.

È dunque necessaria una regolazione di potenza costante con un feed back di tipo V a VxI transfer. Sui carichi trifase con Carburo di Silicio è suggerito l’uso di un feed back in VxI per ottenere una regolazione di potenza costante. Questo è necessario per compensare i cambiamenti del valore della resistenza con la temperatura e l’età degli elementi.Il valore alla fine del loro utilizzo è 4 volte quello iniziale. Con la serie REVO M utilizzare un accensione BF e un limite di potenza.
Tutti gli elementi al carburo di silicio incrementano la resistenza durante il loro ciclo di vita operativa e il valore con cui questa avviene dipende dai seguenti fattori:

a) Specifico Elemento di Carico
b) Temperatura Operativa
c) Atmosfera del Processo
d) Modlità Operativa (continua o intermittente)
e) Tipologia di Alimentazione utilizzata
f) Tipo di Elemento

Per ottimizzare la vita dell’elemento è necessario selezionarne uno con il più basso carico specifico rispetto al forno utilizzato. Per compensare il progressivo aumento della resistenza dell’elemento (invecchiamento), viene solitamente fornito un alimentatore di tensione variabile per consentire il mantenimento della potenza di progetto per tutta la durata dell’elemento.

SiC Touch Panel

CD Automation ha realizzato una serie di strumenti per facilitare la realizzazione di applicazioni che necessitano il controllo di Elementi Riscaldanti al Carburo di Silicio (SiC). La Filosofia è quella di utilizzare una Unità a Tiristore standard con comunicazione seriale e di implementare la strategia di controllo dal frontale di un pannello intelligente. Questo Pannello a touch screen in aggiunta all’unità universale di CD Automation permette di di lavorare con tutte le accensioni e modi di controllo rimuovendo tutti i rischi a causa della selezione del tipo di controllo.

Questa soluzione porta diversi vantaggi. Tramite un interfaccia operatore connessa alle nostre Unità SCR dotate di comuncazione è possibile ottenere i seguenti benefici:

  • Configurazione automatica e messa a punto dell’Unità Thyristor
  • Regolazione automatica del Power Control modalità VxI
  • Messaggio sul quando cambiare gli elementi, perché sono alla fine della loro vita.
  • Passaggio automatico da tensione alla modalità VxI controllo quando la temperatura elemento è quello corretto.
  • Messa a punto procedura automatica di allarme Heather Break per diagnostica rottura carico parziale o totale
  • Diagnostica guasto fusibile e tiristori in corto circuito
  • Trend recenti e storici della variabile di processo a seguito
  • Densità di potenza W/cm2
  • Carico di tensione
  • Corrente di carico
  • Potenza al carico
  • Valore curva di resistenza con il nuovo elemento
  • Tempo trascorso dall’inizio alla reale valore di resistenza

Due modi differenti di pilotare l’elemento SiC:

  • Burst Firing con aggiustamento automatico dei Limiti di Potenza.
  • Angolo di Fase con il trasferimento del modo di controllo da Tensione a Potenza
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