App03-SiC-TI

Elementi SiC sul Secondario di un Trasformatore 1PH.
Il carburo di silicio è un materiale semiconduttore ed ha una resistività molto più elevata rispetto ai materiali metallici. Il valore della Resistenza di questi elementi a temperatura ambiente è piuttosto alto e scende con l’aumentare della temperatura ad un valore minimo di circa 600-900°C, a temperature degli elementi sopra i 900 °C l’aumento di resistività aumenta con l’aumento della temperatura. È dunque necessaria una regolazione di potenza costante con un feed back di tipo V a VxI transfer. Sui carichi trifase con Carburo di Silicio è suggerito l’uso di un feed back in VxI per ottenere una regolazione di potenza costante. Questo è necessario per compensare i cambiamenti del valore della resistenza con la temperatura e l’età degli elementi. Il valore alla fine del loro utilizzo è 4 volte quello iniziale.